Samsung heeft op de FMS 2026-conferentie nieuwe 3D-geheugentechnologieën gepresenteerd om zijn positie in de AI-markt te versterken. De belangrijkste innovaties zijn:
- zHBM (z-axis High Bandwidth Memory): Een architectuur waarbij geheugen verticaal op AI-acceleratoren wordt gestapeld. Dit minimaliseert de afstand die data moet afleggen, wat resulteert in tot acht keer hogere prestaties dan HBM5 en een drievoudige verbetering in energie-efficiëntie.
- zNAND-O: Een high-performance NAND-flashfamilie voor on-device AI-toepassingen, die gebruikmaakt van Through-Silicon Via (TSV)-technologie voor hogere leesbandbreedte en snellere responstijden.
- V10 BV-NAND: Een NAND-architectuur met meer dan 400 lagen, die de geheugendichtheid met ongeveer 58% verhoogt ten opzichte van de V9-generatie.
Daarnaast toonde Samsung diverse andere oplossingen, waaronder HBM4E, HBM5 met verbeterde thermische beheersing via Heat Path Block-technologie, en LPDDR5X-PIM. Hiermee positioneert Samsung zich als een complete 'one-stop'-leverancier die het volledige proces van ontwerp tot massaproductie van AI-halfgeleiders kan ondersteunen.
Samsung presenteert zHBM-prototype: geheugen direct op AI-acceleratoren gestapeld
Samsung Electronics heeft nieuwe 3D-geheugentechnologieën onthuld, waaronder z-axis High Bandwidth Memory (zHBM) and zNAND-O. Hiermee probeert het bedrijf zijn positie te versterken in de snelgroeiende markt voor kunstmatige intelligentie.
Op 5 augustus presenteerde Samsung voor het eerst mockups van zHBM en zNAND-O tijdens de Future of Memory and Storage (FMS) 2026-conferentie in Californië. Tijdens een keynote-presentatie op 4 augustus (lokale tijd) schetste het bedrijf zijn visie op het maximaliseren van prestaties en energie-efficiëntie in high-performance computing (HPC) en AI-systemen door het gebruik van zHBM, zNAND-O en andere geavanceerde geheugentechnologieën.
zHBM levert tot acht keer hogere prestaties door nieuwe architectuur
zHBM is een volgende generatie architectuur waarbij HBM verticaal op AI-acceleratoren, of xPUs, wordt gestapeld langs de z-as. Dit ontwerp minimaliseert de afstand die data moet afleggen tussen het geheugen en de AI-processors, wat de bandbreedte en energie-efficiëntie verbetert. Dit ondersteunt de ultrasnelle gegevensverwerking die nodig is voor het trainen en de inferentie van grootschalige AI-modellen.
Bij conventionele architecturen bevindt de HBM zich rondom de AI-accelerator. Volgens Samsung stuit die aanpak op beperkingen bij het voldoen aan de prestatie-eisen van de volgende generatie HPC- en AI-infrastructuren.
De belangrijkste voordelen van zHBM zijn:
- Prestaties: Kan tot acht keer de gegevensverwerkingsprestaties leveren van achtste generatie High Bandwidth Memory (HBM5).
- Efficiëntie: Verbetert de prestaties per watt met een factor drie.
- Thermiek: De thermische weerstand is met meer dan de helft verminderd, wat zowel de systeemstabiliteit als de energie-efficiëntie ten goede komt.
Samsung beschrijft zHBM als een aanpasbare familie van 3D-geheugenproducten. De architectuur stelt klanten in staat om semiconductor intellectual property (IP)-blokken toe te voegen aan een tussenlaag die zich tussen het geheugen en de AI-accelerator bevindt. Deze blokken kunnen worden aangepast om de geheugencapaciteit uit te breiden of de prestaties van de accelerator te optimaliseren voor specifieke werklasten.
Het bedrijf gaf aan nauw met klanten samen te willen werken om AI-processors en geheugensystemen gezamenlijk te optimaliseren en zo het prestatiepotentieel van zHBM te maximaliseren.
Samsung onthult HBM-achtige zNAND-O en 400-plus-laags V10 BV-NAND
Daarnaast introduceerde Samsung zNAND-O, een nieuwe generatie high-performance NAND-flashfamilie die momenteel in ontwikkeling is. Deze technologie combineert de verticale V-NAND-stacking-architectuur van Samsung met Through-Silicon Via (TSV)-technologie. TSV's worden in HBM gebruikt om verticaal gestapelde DRAM-dies elektrisch en fysiek met elkaar te verbinden. De zNAND-O hanteert een structuur die vergelijkbaar is met High Bandwidth Flash (HBF), die wordt ontwikkeld door SK Hynix en Sandisk.
De "O" in zNAND-O staat voor on-device AI-toepassingen. Samsung demonstreerde 3D-gepakkete V-NAND-configuraties van vier en acht lagen, ontworpen voor een hoge ruimte-efficiëntie, verhoogde leesbandbreedte en snellere responstijden. Volgens het bedrijf is deze technologie uitermate geschikt voor omgevingen waar real-time verwerking van grote hoeveelheden data vereist is.
Tijdens de keynote onthulde Samsung ook zijn V10 Bonding Vertical (BV)-NAND-technologie met meer dan 400 lagen. Deze volgende generatie NAND-architectuur verbetert zowel de prestaties als de energie-efficiëntie; de getoonde zNAND-O-mockup is gebouwd op dit V10 NAND-platform.
Kenmerken van BV-NAND:
- Productieproces: De NAND-celmatrix en de perifere schakelingen worden op verschillende wafers geproduceerd en vervolgens verticaal aan elkaar gebonden via geavanceerde wafer-bonding-technologie.
- Architectuur: Samsung combineert deze aanpak met een 'three-stack'-architectuur, waarbij V-NAND-cellen in drie aparte stacks worden gefabriceerd en daarna verticaal worden verbonden.
- Resultaat: De geheugendichtheid is met ongeveer 58% verbeterd ten opzichte van de vorige V9-generatie, waardoor een grotere opslagcapaciteit mogelijk is binnen hetzelfde oppervlak. Ook de lees-, schrijf- en input/output-prestaties zijn verbeterd.
HBM4E, HBM5 en Processing-in-Memory technologieën ook getoond
Op de beursvleugel van Samsung werden meer dan 30 geheugenproducten gepresenteerd, variërend van DRAM- tot NAND-technologieën. De hoogtepunten waren:
- Een volgende generatie AI-computingplatform gebaseerd op HBM4E en wafer-samples.
- Een HBM5-mockup met Heat Path Block (HPB)-technologie, waarbij verticale warmteafvoerkanalen langs de zijkanten van de HBM-core-dies zijn toegevoegd voor een betere thermische beheersing.
- LPDDR5X-PIM, die energiezuinig LPDDR5X DRAM combineert met Processing-in-Memory (PIM)-functionaliteit. Samsung beschrijft dit als de eerste implementatie ter wereld van dit type, wat zorgt voor efficiëntere databewegingen en een verbeterde energie-efficiëntie.
- Opslagproducten geoptimaliseerd voor AI-werklasten, waaronder de PM1763 en BM1773. De PM1763 is een enterprise solid-state drive (SSD) voor hoge leessnelheden en efficiënte gegevensverwerking, terwijl de BM1773 een ultra-high-capacity enterprise SSD is voor grootschalige AI-trainingsdatasets.
Samsung benadrukte dat het de enige geïntegreerde fabrikant (IDM) ter wereld is die een complete 'one-stop'-oplossing kan bieden die geheugen, logische halfgeleiders, foundry-diensten en packaging omvat.
"We kunnen geïntegreerde diensten leveren vanaf de ontwerpfase van het product tot aan de massaproductie, waardoor klanten hun ontwikkelingscycli kunnen verkorten terwijl de prestaties en energie-efficiëntie worden geoptimaliseerd," aldus het bedrijf. "Dit maakt op maat gemaakte AI-halfgeleideroplossingen mogelijk die zijn afgestemd op de vereisten van de klant."
Samsung presenteert zHBM-prototype: geheugen direct op AI-acceleratoren gestapeld
Samsung Electronics heeft nieuwe 3D-geheugentechnologieën onthuld, waaronder z-axis High Bandwidth Memory (zHBM) and zNAND-O. Hiermee probeert het bedrijf zijn positie te versterken in de snelgroeiende markt voor kunstmatige intelligentie.
Op 5 augustus presenteerde Samsung voor het eerst mockups van zHBM en zNAND-O tijdens de Future of Memory and Storage (FMS) 2026-conferentie in Californië. Tijdens een keynote-presentatie op 4 augustus (lokale tijd) schetste het bedrijf zijn visie op het maximaliseren van prestaties en energie-efficiëntie in high-performance computing (HPC) en AI-systemen door het gebruik van zHBM, zNAND-O en andere geavanceerde geheugentechnologieën.
zHBM levert tot acht keer hogere prestaties door nieuwe architectuur
zHBM is een volgende generatie architectuur waarbij HBM verticaal op AI-acceleratoren, of xPUs, wordt gestapeld langs de z-as. Dit ontwerp minimaliseert de afstand die data moet afleggen tussen het geheugen en de AI-processors, wat de bandbreedte en energie-efficiëntie verbetert. Dit ondersteunt de ultrasnelle gegevensverwerking die nodig is voor het trainen en de inferentie van grootschalige AI-modellen.
Bij conventionele architecturen bevindt de HBM zich rondom de AI-accelerator. Volgens Samsung stuit die aanpak op beperkingen bij het voldoen aan de prestatie-eisen van de volgende generatie HPC- en AI-infrastructuren.
De belangrijkste voordelen van zHBM zijn:
- Prestaties: Kan tot acht keer de gegevensverwerkingsprestaties leveren van achtste generatie High Bandwidth Memory (HBM5).
- Efficiëntie: Verbetert de prestaties per watt met een factor drie.
- Thermiek: De thermische weerstand is met meer dan de helft verminderd, wat zowel de systeemstabiliteit als de energie-efficiëntie ten goede komt.
Samsung beschrijft zHBM als een aanpasbare familie van 3D-geheugenproducten. De architectuur stelt klanten in staat om semiconductor intellectual property (IP)-blokken toe te voegen aan een tussenlaag die zich tussen het geheugen en de AI-accelerator bevindt. Deze blokken kunnen worden aangepast om de geheugencapaciteit uit te breiden of de prestaties van de accelerator te optimaliseren voor specifieke werklasten.
Het bedrijf gaf aan nauw met klanten samen te willen werken om AI-processors en geheugensystemen gezamenlijk te optimaliseren en zo het prestatiepotentieel van zHBM te maximaliseren.
Samsung onthult HBM-achtige zNAND-O en 400-plus-laags V10 BV-NAND
Daarnaast introduceerde Samsung zNAND-O, een nieuwe generatie high-performance NAND-flashfamilie die momenteel in ontwikkeling is. Deze technologie combineert de verticale V-NAND-stacking-architectuur van Samsung met Through-Silicon Via (TSV)-technologie. TSV's worden in HBM gebruikt om verticaal gestapelde DRAM-dies elektrisch en fysiek met elkaar te verbinden. De zNAND-O hanteert een structuur die vergelijkbaar is met High Bandwidth Flash (HBF), die wordt ontwikkeld door SK Hynix en Sandisk.
De "O" in zNAND-O staat voor on-device AI-toepassingen. Samsung demonstreerde 3D-gepakkete V-NAND-configuraties van vier en acht lagen, ontworpen voor een hoge ruimte-efficiëntie, verhoogde leesbandbreedte en snellere responstijden. Volgens het bedrijf is deze technologie uitermate geschikt voor omgevingen waar real-time verwerking van grote hoeveelheden data vereist is.
Tijdens de keynote onthulde Samsung ook zijn V10 Bonding Vertical (BV)-NAND-technologie met meer dan 400 lagen. Deze volgende generatie NAND-architectuur verbetert zowel de prestaties als de energie-efficiëntie; de getoonde zNAND-O-mockup is gebouwd op dit V10 NAND-platform.
Kenmerken van BV-NAND:
- Productieproces: De NAND-celmatrix en de perifere schakelingen worden op verschillende wafers geproduceerd en vervolgens verticaal aan elkaar gebonden via geavanceerde wafer-bonding-technologie.
- Architectuur: Samsung combineert deze aanpak met een 'three-stack'-architectuur, waarbij V-NAND-cellen in drie aparte stacks worden gefabriceerd en daarna verticaal worden verbonden.
- Resultaat: De geheugendichtheid is met ongeveer 58% verbeterd ten opzichte van de vorige V9-generatie, waardoor een grotere opslagcapaciteit mogelijk is binnen hetzelfde oppervlak. Ook de lees-, schrijf- en input/output-prestaties zijn verbeterd.
HBM4E, HBM5 en Processing-in-Memory technologieën ook getoond
Op de beursvleugel van Samsung werden meer dan 30 geheugenproducten gepresenteerd, variërend van DRAM- tot NAND-technologieën. De hoogtepunten waren:
- Een volgende generatie AI-computingplatform gebaseerd op HBM4E en wafer-samples.
- Een HBM5-mockup met Heat Path Block (HPB)-technologie, waarbij verticale warmteafvoerkanalen langs de zijkanten van de HBM-core-dies zijn toegevoegd voor een betere thermische beheersing.
- LPDDR5X-PIM, die energiezuinig LPDDR5X DRAM combineert met Processing-in-Memory (PIM)-functionaliteit. Samsung beschrijft dit als de eerste implementatie ter wereld van dit type, wat zorgt voor efficiëntere databewegingen en een verbeterde energie-efficiëntie.
- Opslagproducten geoptimaliseerd voor AI-werklasten, waaronder de PM1763 en BM1773. De PM1763 is een enterprise solid-state drive (SSD) voor hoge leessnelheden en efficiënte gegevensverwerking, terwijl de BM1773 een ultra-high-capacity enterprise SSD is voor grootschalige AI-trainingsdatasets.
Samsung benadrukte dat het de enige geïntegreerde fabrikant (IDM) ter wereld is die een complete 'one-stop'-oplossing kan bieden die geheugen, logische halfgeleiders, foundry-diensten en packaging omvat.
"We kunnen geïntegreerde diensten leveren vanaf de ontwerpfase van het product tot aan de massaproductie, waardoor klanten hun ontwikkelingscycli kunnen verkorten terwijl de prestaties en energie-efficiëntie worden geoptimaliseerd," aldus het bedrijf. "Dit maakt op maat gemaakte AI-halfgeleideroplossingen mogelijk die zijn afgestemd op de vereisten van de klant."
Groetjes,